求氮化硅陶瓷的导热系数,密度和比热(硅的介电常数)
求氮化硅陶瓷的导热系数,密度和比热(硅的介电常数)
氮化硅的理论密度为3100±10kg/m3，实际测得α-Si3N4的真比重为3184kg/m3，β-Si3N4的真比重为3187kg/m3。
1、在标准大气压下，不含二氧化碳的干燥空气的相对电容率εr=00053。因此，用这种电极构形在空气中的电容Ca来代替C0来测量相对电容率εr时，也有足够的准确度。
2、。 我们半导体物理学书上是9。下面给的链接里有不同氧化方法得到的二氧化硅的相对介电常数也都在9左右。
3、密度2 ～66，熔点1670℃（鳞石英）、1710℃（方石英），沸点2230℃，相对介电常数为9。不溶于水微溶于一般的酸，但溶于氢氟酸及热浓磷酸，能和熔融碱类起作用。
4、SiO2又称硅石。在自然界分布很广，如石英、石英砂等。白色或无色，含铁量较高的是淡黄色。密度2 ～6熔点1670℃（鳞石英）；1710℃（方石英）。沸点2230℃，相对介电常数为9。
5、介电常数SiO2：9， Si3N4：0 传统工艺一般采用SiO2做阻挡层，但当其厚度减小时，漏电流增大，并出现杂质扩散现象，影响器件性能。
6、二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件、光学仪器、工艺品和耐火材料的原料，是科学研究的重要材料。
1、不同用途的硅胶有不同的介电常数，在电气行业中所用的高介电常数硅胶的介电常数高达（1KHZ)20-30；电子领域内目前主流散热器所用导热硅脂的介电常数都大于1。
2、不同用途的硅胶有不同的介电常数，在电气行业中所用的高介电常数硅胶的介电常数（1KHZ)20-30。透明或乳白色粒状固体。具有开放的多孔结构，吸附性强，能吸附多种物质。
3、硅的相对介电常数常用值：15，准静态，低频。相对介电常数，表征介质材料的介电性质或极化性质的物理参数。其值等于以预测材料为介质与以真空为介质制成的同尺寸电容器电容量之比，该值也是材料贮电能力的表征。
选用其他介质材料做栅介质是当前工艺中的一个方向。例如选用氮氧化硅 SiNxOy 替代二氧化硅是一个微电子技术的发展方向。正在研究其它具有高介电常数的材料，称为高k栅绝缘介质。
二进制只需用两种状态表示数字，容易实现计算机是由电子元、器件构成的，二进制在电气、电子元器件中最易实现。它只有两个数字，用两种稳定的物理状态即可表达，而且稳定可靠。
解释：在平面上，取一点O称为极，从O出发的一射线OX称为‘极轴’。平面上任意一点P的位置，就可以用线段OP的长度γ和OP与OX所夹的角θ来确定。(γ、θ)称为点P的‘极坐标’。
kernel(内核)：是操作系统最基本的部分，是一个操作系统的核心。
